版主: Jeff, Korping_Chang
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
mtlin12 寫:kvl 寫:哈哈!不是計算的,是用軟體模擬的,在實際應用上1G與379M都不可能,但至少可看出達靈頓比DB快。
這樣表示軟體模擬的等效電路( modeling ),與實際可能存在不
少差異,因為在極高頻(>500MHz)時,電容、電感甚至於金線
以及半導體的spice參數可能都有變化,不能據以論述。就如IC
在次微米時其modeling可能完全不同於微米以上的時候。
mtlin12 寫:否則應該有達靈頓的current buffer IC出現才對呀!實際卻不然。
mtlin12 寫:ft如何定義我不完全了解,可是1GHz真的超過小訊號2N5401 max.的300MHz太多了吧?!何況是中功率的MJE340?
mtlin12 寫:LH0063 wensan兄有提出過,可是它也有些類似DB架構,我正CHECK
有關達靈頓電路在頻寬方面的問題,大學時代電晶體書讀太少了,手邊
更沒有教科書了,但是絕對不是神化自己,因為類比電路1GHz or 2ns
delay 絕對是特殊型架構,而非單純二級共集極電路就ok了,信不信?
David Lin 寫:翩翩飛鳥,息我庭柯;歛翮閒止,好聲缸和.
豈無他人?念子實多,願言不獲,抱恨如何.
~取自五柳先生;停雲詩
給兩位消停消停氣忿
wensan 寫:David Lin 寫:翩翩飛鳥,息我庭柯;歛翮閒止,好聲缸和.
豈無他人?念子實多,願言不獲,抱恨如何.
~取自五柳先生;停雲詩
給兩位消停消停氣忿
這不是生不生氣的問題!
而是他想要做實際狀況的模擬,那他儘管去做,又沒有人攔著他!
但是他沒有權利禁止人家做理論性的模擬分析,更沒有資格否定理論性模擬分析的價值!
IC設計在Layout前要先做Presim,Layout後再把雜散電容電感加進來做Postsim。
Presim有Presim的價值,這是不容抹煞的!
uuu 寫:你的振鈴現象
應該是
有加上包括電壓放大.迴授的完整放大器
可能要從這兩者.....電壓放大.迴授
逐級
去找出造成振鈴現象的原因.....
mtlin12 寫:再次感謝wensan兄您辛苦的模擬,看到本圖確實讓我體會一件事,就是『公親變事
主』。
kvl 寫:描述一下模擬電路:
DB--Q13上下各串一2mA電流源,其餘與DB-01一樣,訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。
LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源,
訊號上下各以1000uf交連進B腳。
兩者用同一訊號源,供電為+-24V,第一級電流均為2mA。
當輸入1V時,差距有限,但輸入5V時,明顯看出DB充電時間較
長,差距在3倍以上。
Q25、26會進入截止區,即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的,但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同,但得到相同的結論--Q25、26會截
止,所以您的立論恐怕是有問題的。
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